国内首条8英寸IGBT专业芯片线投产 打破国外技术垄断

20日，中国南车株洲所宣布，公司具完全自主知识产权的国内首条、亦是全球第二条8英寸IGBT专业芯片线在株洲全面建成投产，首期预计实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，年产值近20亿元。这意味着，我国成功打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断，并实现了产业化突破。

IGBT是电力电子第三代器件，它可控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备能源利用率、自动化和智能化水平。初步估算，若将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中，可使电能使用效率提高15%—30%，每年节电2000亿千瓦时，相当于两个三峡电站的年发电量。IGBT的研发、制造、应用成为衡量一个国家科技创新能力和高端制造业水平的重要标志。

中国工程院院士、中国南车株洲所总经理丁荣军介绍，2012年，公司开始在株洲投资15亿元来建设这条8英寸IGBT专业芯片生产线，为的是攻克1200伏以上中高压IGBT技术及产业化难题，打破国外公司在高端IGBT芯片关键技术上的垄断。IGBT芯片从6英寸发展到8英寸，不仅单位时间芯片产能翻倍，还有着“质”的飞跃：如它改变了原有芯片批量化生产模式，实现了单片生产，能确保产出芯片在质量与性能上更优越，材料成本则至少可降低20%。8英寸IGBT芯片拥有128个指甲盖大小的“元胞”，每个元胞可承载电流由原来的50安培提高到了75安培，增大了50%的负载，芯片被封装成模块，应用于设备后，损耗更少，可带来后续诸多良好的环保节能效应。

截至目前，中国南车先后累计投入超过30亿元，在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项重大难题，掌握了IGBT芯片设计及封装成套关键技术，建立了完整的IGBT规模化、专业化生产工艺体系，成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块，形成了IGBT的完整产业链。公司是国内唯一自主掌握集IGBT芯片、模块、组件、应用全套技术的企业。(科技日报)